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10月14日音信，光刻机大厂（Canon）公司近日通过新闻稿告示，其依然启动销售基于“纳米印刷”（Nanoprinted lithography）本事的芯片坐褥建立 FPA-1200NZ2C。佳能示意，该建立继承不同于复杂光刻本事的决议，不错制造5nm芯片。

在半导体制程本事插足5nm节点之后，EUV光刻机依然成为了弗成或缺的关节建立。可是，因为EUV光刻机造价崇高，每台价钱特出1亿好意思元，况且EUV光刻机仅荷兰ASML一家产生约略供应，且产能有限，这使得芯片的坐褥资本大幅升高。

为此，从2017 年启动，半导体建立厂佳能就与存储芯片大厂铠侠，以及光罩等半导体零组件制造商大日本印刷株式会社（DNP）协作，在日本三重县四日市的铠侠工场内研发基于纳米压印(NIL) 的量产本事，不错不使用EUV光刻机，就能使制程本事鼓舞到5nm。

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佳能示意，这套坐褥建立的责任旨趣和行业斥地者 ASML 的光刻机不同，其并不期骗光学图像投影的旨趣将集成电路的微不雅结构升沉到硅晶圆上，而是更相通于印刷本事，径直通过压印酿成图案。

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相较于现在已商用化的EUV光刻本事，铠侠在2021年就曾示意，NIL 本事可大幅减少耗能，并裁减建立资本。原因在于NIL 本事的微影制程较为单纯，耗电量可压低至EUV 本事的10%，并让建立投资裁减至仅有EUV 建立的40%。现在，EUV光刻机独一荷兰ASML一家约略坐褥供应，其不但价钱高，况且需要很多检测建立的配合。

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不外，诚然NIL 本事有很多的优点，但现阶段在导入量产上仍有不少问题有待惩处，其中包括更容易因空气中的微小尘埃的影响而酿成流毒。

对铠侠来说，NAND 零组件因为选拔3D 立体堆叠结构，更容易顺应NIL本事制程。铠侠那时就示意，面前已惩处NIL 的基本本事问题，正在进行量产本事的鼓舞责任，但愿能较其他竞争敌手领先引入到NAND 坐褥当中。而一朝铠侠能得手领先引入NIL 本事并达成量产，有望弥补在建立投资竞赛中的不利地点，又能允洽减少碳排放的需求。

凭证DNP 的说法，NIL 量产本事电路微缩进度可达5nm节点，而DNP 从2021 年春天启动，就依然在凭证建立的规格值进行里面的模拟仿真当中。而关于这么的本事跨越，DNP 也闪现，从半导体制造商对NIL 量产本事谈论度的增多，娇傲不少厂商对NIL 本事托福厚望。

可是，铠侠在对NIL本事进行测试之后，遭到了潜在客户建议的投诉，以为居品颓势率较高，临了并未骨子应用。

当作关节的建立提供商，佳能在推动NIL本事量产NAND的同期，也发奋于将NIL 量产本事平凡的应用于制造DRAM 及PC 用的CPU 等逻辑芯片的建立上，以在改日供应多的半导体制造商，也但愿能应用于手机应用处理器等启程点进制程上。

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这次佳能发布的这套建立不错应用于最小14宽泛毫米的硅晶圆，从而不错坐褥至极于5nm工艺的芯片。

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佳能示意会络续纠正和发展这套系统，改日有望用于坐褥 2nm 芯片。

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剪辑：芯智讯-浪客剑

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